Samsung ha annunciato una nuova serie diÂ* memorie DDR3 caratterizzate da chip DRAM con processo produttivo a 40nm. I chip hanno un data rate di 1.6Gbps e voltaggio di 1.35v e verranno utilizzati da Samsung per assemblare moduli SODIMM e DIMM con capacitÃ* compresa tra 4GB e 16GB

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